Samsung улучшит технологии производства ИИ-чипов

Корпорация Samsung представила ряд предстоящих усовершенствований в технологиях производства, направленных на привлечение создателей ИИ-чипов. Компания предлагает улучшенный процесс разработки процессоров с использованием технологии обратной подачи питания, согласно которой шины размещаются на другой стороне кремниевой пластины. По словам представителей фирмы, такой подход повышает мощность и производительность, снижая при этом падение напряжения по сравнению с 2-нм техпроцессом первого поколения. За счет нововведений южнокорейская фирма планирует увеличить количество заказов на производство полупроводников для ИИ-чипов.  Samsung также рассказала о своей ключевой для ИИ-продуктов технологии окружения каналов с четырех сторон Gate-all-around (GAA). Процесс позволяет лучше контролировать переключение транзистора. Корпорация планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу второго поколения во второй половине 2024 года и внедрить GAA в предстоящий 2-нм техпроцесс. Компания подтвердила работу над 1,4-нм микросхемами. Их сборку запустят в 2027 году. По данным Bloomberg, Samsung объединит два североамериканских исследовательских центра по искусственному интеллекту и наймет бывшего руководителя Apple для управления новым предприятием.  Согласно источникам, компания создает новое объединенное подразделение North America AI Center для улучшения работы и повышения эффективности работы команд. В него войдут сотрудники из Торонто (Канада) и Калифорнии (США), а возглавит подразделение Мурат Акбачак, отвечавший в Apple за развитие Siri, утверждает издание.  Напомним, Samsung запретила сотрудниками использовать инструменты генеративного ИИ вроде ChatGPT из-за опасений утечек секретных данных.